ZnO:Ga麦克风微米结构的制备及其光学性质  

作　　者：张春志[1] 刘影 

机构地区：[1]大庆石油学院华瑞学院,哈尔滨150027 [2]哈尔滨市第九中学,哈尔滨150040

出　　处：《今日科苑》2009年第17期107-,共1页Modern Science

摘　　要：以混合的Zn粉和金属Ga作为源,通过热蒸发方法合成了高产率ZnO:Ga麦克风微米结构。室温光致发光表明,可见发光峰可能是由于ZnO样品中的表面缺陷态引起的。发光动力学表明,低温光致发光由中性施主束缚激子(D0,X)、中性受主束缚激子(A0,X)和A0,X的一个伴线(A0,X-1LO)组成。随温度的升高各个峰的强度迅速下降。最后被自由激子(FX)取代,成为占主导地位的峰。

关 键 词：麦克风 光致发光 发光动力学 

分 类 号：O482.31[理学—固体物理]