900MHz低噪声放大器的分析与设计  

Design and Analysis of 900MHz Low Noise Amplifier

作　　者：周鹏飞[1] 程知群[1] 李进[1] 张胜[1] 徐胜军[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江杭州310018

出　　处：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2009年第6期1-3,共3页Journal of Hangzhou Dianzi University：Natural Sciences

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60776052)

摘　　要：利用ADS完成了900MHz低噪声放大器的设计。该文重点分析了偏置电路的设计和稳定性的分析。另外对微带线的高频寄生效应等进行了分析,并针对这些因素利用ADS进行了电磁场仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF35143器件设计,达到了预定的技术指标。A 900MHz low noise amplifier(LNA) is designed in this paper,and focus on circuit s bias and stability.Using advanced design system(ADS) analysis non-continuity factor and parasitic factor,the simulation results and measured results were given in the final part of this paper.The measured results show good agreement with the simulation results.

关 键 词：射频微波集成电路 低噪声放大器 噪声系数 阻抗匹配 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]