铝阳极氧化膜耐电压机制研究  被引量:1

Voltage-withstanding mechanism of aluminum anodic oxide film

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作  者:梁孜[1] 孙保瑞[1] 冯哲圣[1] 

机构地区:[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054

出  处:《电子元件与材料》2010年第6期18-20,共3页Electronic Components And Materials

基  金:国家自然科学基金资助项目(No.60601006);四川省应用基础研究计划资助项目(No.2008JY0054)

摘  要:建立了(+)Al/Al2O3/电解液(-)系统耐电压模型。在该模型中,耐电压测试时施加于样品系统上的恒稳测试电流被分离成了介质层充电电流及缺陷漏电流两部分。使用该模型对恒稳电流下铝阳极氧化膜耐电压随时间的变化进行了模拟,模拟结果与实测值几乎完全重合,并准确预测出了铝阳极氧化膜升压时间及180s时的耐压值。另外,对铝阳极氧化膜耐电压曲线进行了初步解释。A withstanding voltage model was built for the (+)Al/Al2O3/electrolyte(-) system, in which the constant current applied on the sample system in the withstanding voltage test was separated into charge current and leakage current. And, the model was used to simulate the withstanding voltage variation of the aluminum anodic oxidation film versus time. The simulation curve agrees well with the experimentally obtained curve, and the step time and the withstanding voltage (180 s) of the aluminum anodic oxidation ...

关 键 词:铝阳极氧化膜 耐电压 充电电流 漏电流 

分 类 号:TM535[电气工程—电器]

 

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