SrNb_2O_6-NaNbO_3-SiO_2玻璃陶瓷纳米介电复合材料的介电性能研究  

Dielectric Properties of SrNb_2O_6-NaNbO_3-SiO_2 Glass-Ceramic Dielectric Nanocomposite

作　　者：王磊[1] 杜军[1] 张庆猛[1] 罗君[1] 唐群[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院先进电子材料研究所,北京100088

出　　处：《稀有金属》2010年第3期373-377,共5页Chinese Journal of Rare Metals

基　　金：国家863重点项目(2008AA03A236)资助

摘　　要：应用辊压快冷及可控结晶技术制备了玻璃陶瓷(SrNb2O6-NaNbO3-SiO2)纳米介电复合材料。研究了该复合材料的制备工艺参数与显微组织特性以及介电性能的关系,重点关注该材料的抗电击穿性能。X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的分析结果显示,高温熔体经辊压快冷后得到典型的玻璃块体,在随后的可控结晶过程中,当温度高于750℃时,在玻璃基体中逐步析出具有高介电常数的纳米SrNb2O6和NaNbO3颗粒。当晶化温度为900℃时,析出相的平均尺寸约为28 nm。分析测试了该类材料介电常数的温谱特性和频谱特性。结果表明,该介电复合材料具有适宜的温谱和频谱特性。在100 Hz^1 MHz测试频率和-55~125℃测试范围内,该类材料均表现出极佳的稳定性(<5%)。与此同时,基于其特有的低孔隙率和纳米晶粒度的特点,该类复合材料的抗电击穿能力亦很突出。在700℃结晶化处理的样品的电击穿强度高达120 kV.mm-1。A dielectric nanocomposite based on SrNb2O6-NaNbO3-SiO2 glass ceramic,with potential application as energy storage material in high voltage devices,was prepared via roll-quenching followed by controlled crystallization.The X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy(SEM) analysis showed that the nano-size SrNb2O6 and NaNbO3 phases were crystallized from the glass matrix at temperature above 750 ℃.The average grain size of the dielectric precipitates was less than 28 nm when the glass sheet was c...

关 键 词：击穿强度 介电性能 玻璃陶瓷 纳米介电复合材料 

分 类 号：TQ174.1[化学工程—陶瓷工业]