检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:谢敬辉[1] 张泽明[1] 何庆声[2] 邬敏贤[2] 金国藩[2]
机构地区:[1]北京理工大学光电工程系 [2]清华大学
出 处:《Journal of Beijing Institute of Technology》2001年第2期153-156,共4页北京理工大学学报(英文版)
基 金:国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘 要:研究光折变晶体中多重体全息存储的选择性擦涂和重写技术.根据光折变晶体中位相全息图形成的机理,利用互补全息图与原始全息图的非相干迭加,实现选择性擦涂.成功地实现了在掺铁铌酸锂晶体中的选择性擦涂和重写.互补全息术是实现光折变晶体中多重全息存储的选择性擦涂和重写的有效而简便的可行方法.
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