光电耦合器位移损伤效应研究  

Displacement damage of optocouplers

作　　者：冯展祖[1] 杨生胜[1] 王云飞[1] 高欣[1] 王健[1] 

机构地区：[1]兰州物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室,兰州730000

出　　处：《航天器环境工程》2009年第2期122-124,97,共3页Spacecraft Environment Engineering

基　　金：真空低温技术与物理国家级重点实验室基金项目(编号:9140C5503030703)。

摘　　要：文章针对光电耦合器在空间辐射应用中的位移损伤效应,选取了一种典型的光电耦合器4n25进行了1mev高能电子辐照试验,获得了辐照后器件电流传输比参数(ctr)的退化与电子注量的关系:在试验注量范围(1.3×1012～1.5×1013cm-2)内,nctr与电子通量成反比.通过位移损伤对器件及材料作用过程的分析,探讨了光电耦合器位移损伤效应作用机理.To study the radiation displacement damage of optocouplers, 4N25 is selected to be exposed under 1 MeV electron radiation. It is shown that the device’s parameter degradation is inversely proportional to the electron fluence. The mechanism of displacement damage of materials and devices, especially of the optocouplers, is discussed.

关 键 词：光电耦合器 位移损伤 辐射效应 

分 类 号：V416.5[航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程] TN366[电子电信—物理电子学]