半导体制冷器制冷参数的性能分析  被引量:4

Influence of Intensity of Heat Emission on Performance of Semiconductor Cooler

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作  者:丁飞[1] 

机构地区:[1]中国电子科技集团公司第38研究所四创公司,合肥230031

出  处:《制冷》2012年第3期23-26,共4页Refrigeration

摘  要:本文研究了半导体制冷器冷、热端在第三类边界条件下对N-P型电臂进行传热分析和数值计算,并考虑了汤姆逊效应的影响,得出了半导体制冷器的制冷参数随散热强度和电流改变的变化规律,为实际工作状态下的半导体制冷器的优化设计提供了依据。This paper presented a mathematical model to describe the N and P type of thermocouple of the device under the third kind boundary condition,Moreover,the influence of Thomson effect on the performance of the refrigeration device is taken into account,the analytic of refrigeration parameter for the relation of intensity of heat emission and electric current was obtained.This paper provided the basis for the optimal design of heat emission system of semiconductor cooler in the practical environment.

关 键 词:半导体制冷器 散热强度 制冷性能 数值计算 

分 类 号:TB61.[一般工业技术—制冷工程]

 

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