磁滞损失角度特性——CoCr合金薄膜反磁化过程分析  

作　　者：闰明朗 杨正[2] 

机构地区：[1]中科院物理所磁学实验室 [2]兰州大学磁性材料研究所

出　　处：《磁记录材料》1993年第3期7-11,共5页Magnetic Recording Materiais

摘　　要：本文用VSM测量不同最大外场下垂直磁化CoCr薄膜磁滞回线的角度关系,用宏观法分析CoCr薄膜的反磁化机理,发现CoCr膜的反磁化机理依赖于最大外场的大小和方向。高H_(c⊥)上的CoCr膜,无论外场如何变化,转动机理起支配作用。低H_(c⊥)的CoCr膜,低场范围畴壁位移发生于转动之前,高场范围转动反磁化起主要作用,磁滞损失的特性能反应和判断垂直磁化CoCr膜的反磁化机理。

关 键 词：磁性合金 磁滞损失 钴铬合金 薄膜 

分 类 号：TM274[一般工业技术—材料科学与工程]