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作 者:王许杰[1] 方芳[1] 楚学影[1] 方铉[1] 李金华[1] 魏志鹏[1] 王晓华[1]
出 处:《发光学报》2014年第3期306-311,共6页Chinese Journal of Luminescence
基 金:国家自然科学基金(61006065;61076039;61204065;61205193;10804071);高等学校博士学科点专项科研基金(20102216110001;20102216120002;20112216120005);吉林省自然科学基金(20101546);吉林省科技发展计划(20121816;201201116);吉林省教育厅项目(2011JYT05;2011JYT10;2011JYT11);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115)资助项目
摘 要:利用简单、温和的二步水浴法制备一种大面积自支撑、可自由迁移的Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、元素能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、室温和变温光致发光谱(PL)等一系列表征手段对所制备的自支撑Ag掺杂ZnO纳米线阵列进行了研究。研究结果显示:这种自支撑纳米材料具有良好的晶体质量和光学性质,在低温(85 K)下显示出A0X和FA为主导的受主相关发射峰,通过理论公式计算受主结合能为118 meV。在变温光致发光光谱中,FA发射峰位随温度的变化符合理论模型。By using a simple and mild two-step water-bath method, a large area of flower-like self-supporting Ag-doped ZnO nanoarrays were fabricated. Field emission scanning electron microscopy (FESEM), energy dispersive X-ray spectrometer (EDS), X-ray diffraction (XRD), room temperature and temperature depend photoluminescence (PL) were used to characterize the morphology, crystalline quality and optical properties of the samples. The emission related to acceptor located at 3.360 eV and 3.315 eV can be observed at low temperature (85 K), and the theoretical calculated acceptor binding energy is 118 meV. In temperature depend PL spectra, the calculated values of FA emission agree well with the theoretical model.
关 键 词:水浴法 自支撑 Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列 光学性质
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