磁流变抛光KDP去除机理实验研究  被引量:1

Research on Removal Mechanism of Magnetorheological Polishing of KDP Crystal

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作  者:焦飞飞[1] 彭小强[1] 陈浩锋[1] 石峰[1] 铁贵鹏[1] 

机构地区:[1]国防科学技术大学机电工程与自动化学院,长沙410073

出  处:《航空精密制造技术》2012年第1期1-4,22,共5页Aviation Precision Manufacturing Technology

摘  要:针对KDP晶体质地软、脆性高、易潮解等不利于加工的材料特性,提出了基于潮解原理的无磨料非水基磁流变抛光新工艺,获得了表面粗糙度PV=13.7nm,Rms=1.1nm的超光滑表面。通过分析得出新型磁流变抛光通过溶解作用完成材料去除;实验证明新型液体抛光过程中,溶解作用占主导地位,机械去除作用很小,可忽略不计;去除效率随抛光区域剪切应力增大而增大,而正压力分布对去除效率没有影响。针对KDP晶体质地软、脆性高、易潮解等不利于加工的材料特性,提出了基于潮解原理的无磨料非水基磁流变抛光新工艺,获得了表面粗糙度PV=13.7nm,Rms=1.1nm的超光滑表面。通过分析得出新型磁流变抛光通过溶解作用完成材料去除;实验证明新型液体抛光过程中,溶解作用占主导地位,机械去除作用很小,可忽略不计;去除效率随抛光区域剪切应力增大而增大,而正压力分布对去除效率没有影响。

关 键 词:KDP 磁流变抛光 无磨料抛光 去除机理 

分 类 号:V26[航空宇航科学与技术—航空宇航制造工程]

 

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