忆阻器存储研究与展望  

Research and Prospect on Memristor Memory

作　　者：胡舒凯[1] 吴俊杰[1] 周海芳[2] 张拥军[2] 方旭东 

机构地区：[1]国防科学技术大学计算机学院并行与分布处理国家重点实验室,长沙410073 [2]国防科学技术大学计算机学院,长沙410073

出　　处：《计算机研究与发展》2012年第S1期79-84,共6页Journal of Computer Research and Development

基　　金：国家自然科学基金项目(60921062;61003082)

摘　　要：随着信息呈现爆炸式增长,而CMOS的工艺尺寸逐步接近其理论极限尺寸,新型纳米级存储器件的需求日趋迫切.忆阻器被认为具有替代动态随机存储器,适应海量存储的巨大潜力.在综述忆阻器与忆阻系统概念的产生与发展的基础上,讨论忆阻器作为存储单元的特性,综述了忆阻器的阻变存储结构以及相对应的读写方法.在总结分析目前研究存在问题的基础上,探讨了今后的研究方向.随着信息呈现爆炸式增长,而CMOS的工艺尺寸逐步接近其理论极限尺寸,新型纳米级存储器件的需求日趋迫切.忆阻器被认为具有替代动态随机存储器,适应海量存储的巨大潜力.在综述忆阻器与忆阻系统概念的产生与发展的基础上,讨论忆阻器作为存储单元的特性,综述了忆阻器的阻变存储结构以及相对应的读写方法.在总结分析目前研究存在问题的基础上,探讨了今后的研究方向.

关 键 词：忆阻器 存储 结构 综述 

分 类 号：TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]