近化学计量比和掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的生长与表征  

Growth of Undoped and Mg Doped Stoichiometric LiNbO_3 Crystal

作　　者：孙德辉[1] 刘宏[1] 桑元华[1] 秦小勇[2] 崔坤[2] 王继扬[1] 

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 [2]中电科技德清华莹电子有限公司,湖州313200

出　　处：《人工晶体学报》2012年第S1期148-154,共7页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：发明了悬挂坩埚技术并利用该技术成功生长了2英寸掺镁和纯化学计量比铌酸锂晶体,并对这两种晶体的结构、热学性质和光谱性质进行了全面的表征。此外利用原料合成新方法——溶液合成法使掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的组分均匀性和光学均匀性显著提高,测试结果证明了晶体的高光学均匀性和成分均匀性,完全符合应用的要求。发明了悬挂坩埚技术并利用该技术成功生长了2英寸掺镁和纯化学计量比铌酸锂晶体,并对这两种晶体的结构、热学性质和光谱性质进行了全面的表征。此外利用原料合成新方法——溶液合成法使掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的组分均匀性和光学均匀性显著提高,测试结果证明了晶体的高光学均匀性和成分均匀性,完全符合应用的要求。

关 键 词：悬挂坩埚技术 化学计量比 溶液合成法 组分均匀性 光学均匀性 

分 类 号：O7[理学—晶体学]