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机构地区:[1]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074 [2]华中科技大学电子信息功能材料教育部重点实验室(B类),武汉430074
出 处:《人工晶体学报》2012年第S1期305-308,共4页Journal of Synthetic Crystals
基 金:国家自然科学基金(50902055);广东省教育部产学研结合项目(2010A090200001);教育部科技创新工程重大项目培育项目
摘 要:采用传统固相烧结工艺制备BaAl2Si2O8(BAS)基微波介质陶瓷。研究添加H3BO3对BaAl2Si2O8基微波介质陶瓷的烧结特性、相转变、微波介电性能以及微观结构的影响。结果表明,H3BO3可以将BAS陶瓷烧结温度降低200℃左右,可以有效促进六方钡长石向单斜钡长石转变。当H3BO3添加量为10mol%时,具有最佳的综合微波介电性能,εr=6.3,Q×f=14700 GHz。H3BO3添加量为30mol%时,τf值最接近零值,为-13 ppm/℃。采用传统固相烧结工艺制备BaAl2Si2O8(BAS)基微波介质陶瓷。研究添加H3BO3对BaAl2Si2O8基微波介质陶瓷的烧结特性、相转变、微波介电性能以及微观结构的影响。结果表明,H3BO3可以将BAS陶瓷烧结温度降低200℃左右,可以有效促进六方钡长石向单斜钡长石转变。当H3BO3添加量为10mol%时,具有最佳的综合微波介电性能,εr=6.3,Q×f=14700 GHz。H3BO3添加量为30mol%时,τf值最接近零值,为-13 ppm/℃。
关 键 词:BaAl2Si2O8基陶瓷 烧结特性 低介电常数 微波介电性能 相转变
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