半导体所在GaAs纳米线结构相变的研究方面取得重要成果  

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《人工晶体学报》2012年第S1期375-375,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：作为传统的Ⅲ-V族半导体,GaAs体材料的稳定相是闪锌矿结构。但是当进入到纳米尺度时,由于表面积相对增加,又由于纤锌矿结构的表面能较低,使得GaAs纳米线上容易出现纤锌矿结构,互相竞争的结果往往是两相共存,还夹着很多平面缺陷(planar defect)。

关 键 词：纳米线 纤锌矿结构 半导体 闪锌矿结构 纳米尺度 平面缺陷 表面能 稳定相 结构相变 晶体结构 

分 类 号：O7[理学—晶体学]