SIW-DGS宽带带通滤波器分析与设计  

Analysis and Design of a SIW-DGS Wide-Band Band-Pass Filter

作　　者：赵星星[1] 刘军民[1] 

机构地区：[1]大连理工大学信息与通信工程学院,大连116024

出　　处：《微波学报》2012年第S1期182-186,共5页Journal of Microwaves

摘　　要：基片集成波导(SIW)具有和传统矩形金属波导相似的高通特性,某些缺陷地结构(DGS)具有低通特性,将二者结合起来可形成带通特性。在分析哑铃型DGS的低通特性的基础上,将其嵌入到SIW结构中,实现了一款宽带带通滤波器,通过三维电磁仿真软件HFSS的优化设计得到中心频率为11.71GHz,通带范围为9.06GHz^14.35GHz,相对带宽为45.18%的宽带带通滤波器,带内反射系数小于-10dB,带外抑制小于-40dB,插入损耗优于-1.18dB。基片集成波导(SIW)具有和传统矩形金属波导相似的高通特性,某些缺陷地结构(DGS)具有低通特性,将二者结合起来可形成带通特性。在分析哑铃型DGS的低通特性的基础上,将其嵌入到SIW结构中,实现了一款宽带带通滤波器,通过三维电磁仿真软件HFSS的优化设计得到中心频率为11.71GHz,通带范围为9.06GHz^14.35GHz,相对带宽为45.18%的宽带带通滤波器,带内反射系数小于-10dB,带外抑制小于-40dB,插入损耗优于-1.18dB。

关 键 词：基片集成波导 哑铃型缺陷地结构 SIW-DGS宽带带通滤波器 

分 类 号：TN713.5[电子电信—电路与系统]