TiN镀层对射频器件表面二次电子倍增的抑制作用  

Suppression of Surface Multipactor in RF Devices by TiN Coating

作　　者：焦晓静[1] 苏党帅[1] 王茜[1] 

机构地区：[1]西北核技术研究所,西安710024

出　　处：《微波学报》2012年第S1期282-287,共6页Journal of Microwaves

摘　　要：射频器件中的二次电子倍增效应通常会产生许多不良影响,使用TiN镀层来抑制射频器件中的二次电子倍增已经有许多成功的应用。本文概述了TiN镀层的二次电子发射性能及其对真空系统释气率的影响,总结了TiN镀层在陶瓷窗、超导腔、直线加速器等射频器件中的应用,得出了相关结论。射频器件中的二次电子倍增效应通常会产生许多不良影响,使用TiN镀层来抑制射频器件中的二次电子倍增已经有许多成功的应用。本文概述了TiN镀层的二次电子发射性能及其对真空系统释气率的影响,总结了TiN镀层在陶瓷窗、超导腔、直线加速器等射频器件中的应用,得出了相关结论。

关 键 词：射频 二次电子倍增 氮化钛(TiN) 

分 类 号：TN152[电子电信—物理电子学]