高功率脉冲对PIN限幅器的毁伤效应研究  

Research on HPM Pulse Damage Effect of PIN Limiter

作　　者：李吉浩[1] 

机构地区：[1]天线与微波技术国防科技重点实验室南京电子技术研究所,南京210013

出　　处：《微波学报》2012年第S3期315-318,共4页Journal of Microwaves

摘　　要：本文针对PIN限幅器在高功率脉冲下的毁伤效应,对PIN限幅器归一化吸收、负载和反射功率与阻抗关系进行了理论分析,并对高功率脉冲注入下PIN限幅器的瞬态响应进行了仿真分析,结果表明当输入脉冲上升沿小于5ns,输入功率大于200mW时,限幅器出现明显的尖峰泄漏现象,并且限幅能力趋于饱和,试验结果也验证了仿真分析结果的有效性。本文针对PIN限幅器在高功率脉冲下的毁伤效应,对PIN限幅器归一化吸收、负载和反射功率与阻抗关系进行了理论分析,并对高功率脉冲注入下PIN限幅器的瞬态响应进行了仿真分析,结果表明当输入脉冲上升沿小于5ns,输入功率大于200mW时,限幅器出现明显的尖峰泄漏现象,并且限幅能力趋于饱和,试验结果也验证了仿真分析结果的有效性。

关 键 词：高功率脉冲 PIN限幅器 毁伤效应 

分 类 号：TN78[电子电信—电路与系统]