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机构地区:[1]电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室,成都611731
出 处:《微波学报》2012年第S2期266-269,共4页Journal of Microwaves
摘 要:首次采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术的设计出频率在34.2 GHz时相位延迟为32λg和1λg的带状线延迟线。延迟线具有低插损、低色散的特性。由于LTCC独特的工艺特点,实现结构的小型化和结构紧凑性。文中设计的32λg和1λg延迟线的尺寸分别为7×5×3 mm3和2×1.5×3 mm3。最终仿真结果也证明该方案的优越性:对于32λg延迟线,在34.2GHz时插入损耗为3.39dB,在34.1-34.3GHz频段内插损优于5.068dB,驻波小于2.1;1λg延迟线,在中心频率34.2GHz插入损耗为0.316dB,34.1-34.3GHz频段上优于0.317dB,驻波小于1.25。首次采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术的设计出频率在34.2 GHz时相位延迟为32λg和1λg的带状线延迟线。延迟线具有低插损、低色散的特性。由于LTCC独特的工艺特点,实现结构的小型化和结构紧凑性。文中设计的32λg和1λg延迟线的尺寸分别为7×5×3 mm3和2×1.5×3 mm3。最终仿真结果也证明该方案的优越性:对于32λg延迟线,在34.2GHz时插入损耗为3.39dB,在34.1-34.3GHz频段内插损优于5.068dB,驻波小于2.1;1λg延迟线,在中心频率34.2GHz插入损耗为0.316dB,34.1-34.3GHz频段上优于0.317dB,驻波小于1.25。
分 类 号:TN812[电子电信—信息与通信工程]
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