高隔离度功分器仿真  

Simulation of High-Isolation Power Divider

作　　者：刘亚威[1,2] 苏小保[1] 

机构地区：[1]中国科学院电子学研究所,北京100190 [2]中国科学院研究生院,北京100049

出　　处：《微波学报》2012年第S2期300-302,共3页Journal of Microwaves

摘　　要：功分器作为功率合成电路中的关键器件,直接影响功率合成效率,目前功率合成技术的设计难点是提高各分配支路间的隔离度。本文应用CST MICROWAVE STUDIO对传统魔T进行阻抗匹配仿真,实现良好隔离度;进而对折叠魔T进行仿真,较传统魔T具有小型化的特点。功分器作为功率合成电路中的关键器件,直接影响功率合成效率,目前功率合成技术的设计难点是提高各分配支路间的隔离度。本文应用CST MICROWAVE STUDIO对传统魔T进行阻抗匹配仿真,实现良好隔离度;进而对折叠魔T进行仿真,较传统魔T具有小型化的特点。

关 键 词：魔T 功率合成 阻抗匹配 小型化 

分 类 号：TN626[电子电信—电路与系统]