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机构地区:[1]电子科技大学电子工程学院"极高频复杂系统"国防学科重点实验室,成都611731
出 处:《微波学报》2012年第S2期340-343,共4页Journal of Microwaves
摘 要:在LTCC多层电路结构中,不同形式的信号传输线之间往往采用垂直通孔互连,但由于互连通孔在高频时会带来电感效应,且加工后会因变形而引入许多寄生参量,因此可选择耦合形式的互连过渡来实现不同传输线之间的互连。本文针对微带线到共面波导,设计了一种可应用于LTCC工艺的宽带耦合互连过渡结构,着重研究了耦合金属面的宽度和耦合金属面侧边对地间隔对过渡结构频率特性的影响,并优化这些尺寸,得到了理想仿真结果:4.3GHz到12.7GHz的频带内,回波损耗大于10dB,插入损耗最小到0.346dB,辐射损耗系数在小于12GHz时,小于8.56%。在LTCC多层电路结构中,不同形式的信号传输线之间往往采用垂直通孔互连,但由于互连通孔在高频时会带来电感效应,且加工后会因变形而引入许多寄生参量,因此可选择耦合形式的互连过渡来实现不同传输线之间的互连。本文针对微带线到共面波导,设计了一种可应用于LTCC工艺的宽带耦合互连过渡结构,着重研究了耦合金属面的宽度和耦合金属面侧边对地间隔对过渡结构频率特性的影响,并优化这些尺寸,得到了理想仿真结果:4.3GHz到12.7GHz的频带内,回波损耗大于10dB,插入损耗最小到0.346dB,辐射损耗系数在小于12GHz时,小于8.56%。
关 键 词:宽带 电磁耦合 微带-共面波导过渡 LTCC技术
分 类 号:TN817[电子电信—信息与通信工程] TN814
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