硅微谐振式压力传感器中的单端口静电激励-电容检测方法研究  

The Research of One-port Electrostatic Excitation & Capacitive Detection Method in the Silicon Resonant Micro-sensor

作　　者：邢维巍[1] 彭振江[1] 樊尚春[1] 

机构地区：[1]北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,北京100191

出　　处：《计测技术》2012年第S1期35-38,共4页Metrology & Measurement Technology

基　　金：国家自然科学基金资肋项目(60804062);国家自然科学基金资助项目(60927005)

摘　　要：采用静电激励-电容检测方式的硅微谐振式压力传感器具有温度稳定性好、灵敏度高、功耗低等优点,但同频耦合干扰是限制电容检测精度的主要因素。采用频域分离法可有效地克服同频耦合干扰带来的影响。在研究基于频域分离法的单端口静电激励/电容检测的基础上,提出了单端口静电激励/电容检测方案。采用静电激励-电容检测方式的硅微谐振式压力传感器具有温度稳定性好、灵敏度高、功耗低等优点,但同频耦合干扰是限制电容检测精度的主要因素。采用频域分离法可有效地克服同频耦合干扰带来的影响。在研究基于频域分离法的单端口静电激励/电容检测的基础上,提出了单端口静电激励/电容检测方案。

关 键 词：静电激励/电容检测 硅微谐振式压力传感器 同频耦合干扰 频域分离法 

分 类 号：TB9[一般工业技术—计量学]