透明导电薄膜ZnO:Ga与SnO_2:F的光、电和力学性能对比研究  

Comparison Study of Optical,Electrical and Mechanical Properties between Transparent Conductive ZnO:Ga and SnO_2:F Films

作　　者：竺云[1] 宛鹏菲[1] 王越[1] 严达利[1] 王守宇[1] 

机构地区：[1]天津师范大学,天津300387

出　　处：《稀有金属材料与工程》2012年第S2期471-474,共4页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：天津师范大学引进人才基金项目(5RL075);天津市高等学校科技发展计划项目(20081101);国家自然科学基金(51001081)

摘　　要：采用磁控溅射的方法制备Ga掺杂的ZnO透明导电氧化物薄膜(GZO),并与商用F掺杂SnO2(FTO)透明导电氧化物薄膜的结构、光、电和力学性能进行系统的对比测量研究。通过数据的分析,发现GZO薄膜的方块电阻约为3Ω/sq,平均透过率高于80%(420～1000nm),平均硬度约为9GPa,临界载荷为76.2mN,比商用FTO薄膜具有更低的方块电阻、更好的光透过性、更高的材料硬度和膜基结合程度。采用磁控溅射的方法制备Ga掺杂的ZnO透明导电氧化物薄膜(GZO),并与商用F掺杂SnO2(FTO)透明导电氧化物薄膜的结构、光、电和力学性能进行系统的对比测量研究。通过数据的分析,发现GZO薄膜的方块电阻约为3Ω/sq,平均透过率高于80%(420～1000nm),平均硬度约为9GPa,临界载荷为76.2mN,比商用FTO薄膜具有更低的方块电阻、更好的光透过性、更高的材料硬度和膜基结合程度。

关 键 词：透明导电氧化物薄膜 GZO(ZnO:Ga)薄膜 磁控溅射 力学性能 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]