真空热处理制备Cr_2O_3-石墨插层化合物工艺参数研究  

Studies on preparation of Cr_2O_3-graphite intercalation compounds by vacuum heat-treatment

作　　者：张艳[1,2] 许并社[1,2] 

机构地区：[1]太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西太原030024 [2]太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原030024

出　　处：《材料热处理学报》2011年第S1期9-12,共4页Transactions of Materials and Heat Treatment

基　　金：国家"973"项目(2004CB217808);国家自然科学基金项目(90306014;20471041);山西省自然科学基金(2006021020)

摘　　要：以三氧化铬(CrO3)与石墨为原料,利用真空热处理方法制备了三氧化二铬(Cr2O3)-石墨的插层化合物(GICs)。运用X射线衍射(XRD)分析石墨插层化合物。结果表明:经热处理后,在1400℃时CrO3与石墨(石墨∶CrO3=1∶1)与形成了纯5阶的石墨的插层化合物。XRD分析表明,对网状层面结构的天然石墨,可以利用真空热处理的方法使一些非碳反应物(Cr2O3)插入石墨层间,从而改变石墨的层面结构。X射线光电子能谱(XPS)分析和表征了Cr离子以3价的形式存在于石墨插层化合物中。以三氧化铬(CrO3)与石墨为原料,利用真空热处理方法制备了三氧化二铬(Cr2O3)-石墨的插层化合物(GICs)。运用X射线衍射(XRD)分析石墨插层化合物。结果表明:经热处理后,在1400℃时CrO3与石墨(石墨∶CrO3=1∶1)与形成了纯5阶的石墨的插层化合物。XRD分析表明,对网状层面结构的天然石墨,可以利用真空热处理的方法使一些非碳反应物(Cr2O3)插入石墨层间,从而改变石墨的层面结构。X射线光电子能谱(XPS)分析和表征了Cr离子以3价的形式存在于石墨插层化合物中。

关 键 词：真空热处理 石墨 CRO3 插层 XRD XPS 

分 类 号：TG15-55[金属学及工艺—热处理]