硅纳米线的分子动力学模拟  

MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF THE SILICON NANO-WIRE

作　　者：龙述尧[1] 曾塬[1] 许莹莹[1] 童杰[1] 

机构地区：[1]湖南大学汽车先进设计和制造技术国家重点实验室,湖南长沙410082

出　　处：《固体力学学报》2010年第S1期60-63,共4页Chinese Journal of Solid Mechanics

基　　金：国家自然科学基金(10972075);高等学校博士学科点专项科研基金(2009161110012)资助

摘　　要：本文采用分子动力学软件包LAMMPS研究了无缺陷和有缺陷的硅纳米线的拉伸力学性能,得到其应力-应变曲线,曲线表明拉伸过程中无明显的塑性流动,但会出现颈缩现象;当硅纳米线存在缺陷时,屈服强度减小为无缺陷时的79%;且容易形成单个晶胞被拉伸现象.研究表明,温度对硅纳米线的屈服强度有显著影响,温度升高会大大降低硅纳米线的屈服强度.本文采用分子动力学软件包LAMMPS研究了无缺陷和有缺陷的硅纳米线的拉伸力学性能,得到其应力-应变曲线,曲线表明拉伸过程中无明显的塑性流动,但会出现颈缩现象;当硅纳米线存在缺陷时,屈服强度减小为无缺陷时的79%;且容易形成单个晶胞被拉伸现象.研究表明,温度对硅纳米线的屈服强度有显著影响,温度升高会大大降低硅纳米线的屈服强度.

关 键 词：分子动力学 硅纳米线 Tersoff势 应力-应变曲线 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]