改进了渡越时间方程的InP DHBT模型  

InP DHBT Model with Improved Transit Time Formulation

作　　者：葛霁[1] 金智[1] 程伟[1] 苏永波[1] 刘新宇[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《半导体技术》2008年第S1期12-14,27,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：建立了一个改进了渡越时间方程的InP DHBT大信号模型。从HBT电荷方程出发,首先给出了InP DHBT的耗尽电荷方程,接着分析了InP DHBT集电极复合结构对载流子速度的影响,测试了集电极复合结构的InP DHBT的渡越时间,提出了一个简单准确的渡越时间方程,进而得到了扩散电荷方程。最后,建立了一个基于改进的电荷方程的新的InP DHBT大信号模型。新的模型的直流,S参数在很宽的偏置范围下均与实际测试结果拟合完好,准确地预测了器件的特性。An InP double heterojunction bipolar transistor(DHBT)large-signal model was developed.The voltage-dependent depletion charge was obtained analytically,and the voltage-dependent carrier velocity in the composite collector of InP DHBT was investigated and a mea-surement based on voltage-dependent transit time formulation was implemented.As a result,over a wide range of biases,the model shows good agreement between the modeled and measured S-parameters.The model demonstrates accurate prediction of the DC output characteristics.

关 键 词：磷化铟DHBT 大信号模型 基于测试的渡越时间方程 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]