半导体激光器  

出　　处：《中国光学》2002年第2期22-24,共3页Chinese Optics

摘　　要：TN248.4 2002020956MBE 生长 GaAlAs/GaAs 量子阱激光器材料的光谱和结构特性分析=Spectral and structure characteristicsof GaAlAs/GaAs quantum well laser materialsgrown by MBE[刊,中]/李梅,宋晓伟,王晓华,张宝顺。

关 键 词：阵列半导体激光器 特性分析 计算机与通信 国家重点实验室 半导体微腔激光器 四川 高功率半导体激光 激光技术 长春 载流子密度 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]