Kondo 绝缘体的能隙形成机制  

Mechanism of Gap Formation in Kondo Insulators

作　　者：冯小兵[1] 

机构地区：[1]大连铁道学院基础科学部

出　　处：《大连交通大学学报》1997年第4期7-10,22,共5页Journal of Dalian Jiaotong University

摘　　要：采用格林函数退耦合方法研究了非对称周期性Ａｎｄｅｒｓｏｎ模型．结果表明，在相干区随杂化作用的增强体系有能隙产生，且能隙具有较强的温度依赖．体系的磁化率随温度非单调变化．上述结果与Ｋｏｎｄｏ绝缘体的行为一致．Studies the asymmetric periodic Anderson model. The results show that in the coherence regime a gap is formed when the hybridization interaction is enhanced. Energy gap has a strong temperature dependence and the magnetic susceptibility varies nonmonotonically with temperatures. The seresults are consistent with Kondo insulators.

关 键 词：绝缘体 能隙 磁化率 

分 类 号：O562.1[理学—原子与分子物理]