模拟电子新技术讲座(三)——超高精度集成运放分析  

作　　者：斯德谊[1] 张凤言[1] 

机构地区：[1]北京航空航天大学

出　　处：《电气电子教学学报》1994年第4期6-11,共6页Journal of Electrical and Electronic Education

摘　　要：集成运放的运算精度主要取决于其直流或低频参数:输入失调电压V_os.及其温漂αV_os、输入失调电流I_os、开环电压增益A_vd、共模抑制比K_CMR、电源电压抑制比K_SVR、噪声电压e_n或噪声电流i_n.通常把V_os≤50～300μV(可调零到V_os≤10μV)、2V_os≤（0.3～2）μV/℃、I_os≤（10～15）nA、A_vd=（110～120）dB、K_CMR=（110～120）dB、K_SVR=（110～120）dB和在（0.1～10Hz）内e_np-p≤（0.5～2.0）μV_p-p（0.1～10Hz内）的运放,称为高精度运放;优于上述指标一个数量级的运放,称为超高精度运放.本文对高精度运放的基本电路形式、超低失调漂移的版图布局与内部动态调零技术、外部超低漂移调零网络和偏流抵消电路作详细的分析讨论,并对超高精度运放的原理电路作了说明.

关 键 词：集成运放 超高精度 模拟电子 技术讲座 调零技术 抑制比 输入失调电压 失调漂移 保护电路 内部动态 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]