FET压控电阻  

作　　者：马积勋[1] 

机构地区：[1]西安交通大学信息控制系

出　　处：《电气电子教学学报》1992年第1期60-61,共2页Journal of Electrical and Electronic Education

摘　　要：场效应管工作在可变电阻区时,I_D随U_DS的增加几乎成线性增大,而增大的比值受U_GS控制,因此可以把场效应管D与S极间看作一个受U_GS控制的压控线性电阻,即所谓FET压控电阻.目前在已出版的电子学教材中对压控电阻的讨论非常少,清华大学电子学教研室编的《模拟电子技术基础》第2版,在其第56页[例1-7]中讨论了压控电阻电路的分析计算方法,但似有错误.在此我们就从该例出发探讨一下FET压控电阻的有关问题,为了便于分析,先写出原书例题如下:

关 键 词：压控 FET 场效应管 电阻特性 可变电阻 极间 线性电路 漏极 特性曲线 等效电阻 

分 类 号：TN-4[电子电信]