Ga样品评价中子核数据的基准检验  

作　　者：韩瑞[1,2] 聂阳波 阮锡超 鲍杰 任杰 黄翰雄 李霞 张凯 周祖英 

机构地区：[1]核物理研究所 [2]中国科学院近代物理研究所

出　　处：《中国原子能科学研究院年报》2013年第1期71-72,共2页

摘　　要：Ga是一种常见的靶核材料,具有低熔点高沸点的特性,而且是重要的裂变产物之一,其对于反应堆工程及ADS散裂靶等装置的设计具有重要的应用价值。因此,对Ga的评价中子核数据的基准检验非常重要。基于中国原子能科学研究院的高压倍加器,采用飞行时间法,测量了T(d,n)4He反应产生的14.8 MeV的单能脉冲中子与聚乙烯标准样品及Ga待测样品作用,在不同角度出射的中子泄漏谱,实验结果与CENDL-3.1和ENDF/B-Ⅶ数据库的MCNP模拟结果进行了比较。图1给出了两种不同尺寸的Ga样品分别在两个出射角度的泄漏中子谱与MCNP模拟的比较结果。

关 键 词：子核 GA 待测样品 飞行时间法 高压倍加器 中子泄漏 反应堆工程 出射角 靶核 标准样品 

分 类 号：O571.5[理学—粒子物理与原子核物理]