一种0.3～0.4 THz高功率脉冲探测器模型研究  

Research on a High Power Pulse Sensor Model for 0.3 ～0.4 THz Frequency Band

作　　者：王雪锋[1] 王建国[2] 王光强[1] 童长江[1] 李爽[1] 李勇[1] 

机构地区：[1]西北核技术研究所,西安,710024 [2]西北核技术研究所,西安,710024

出　　处：《现代应用物理》2013年第1期-,共6页Modern Applied Physics

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：利用三维电磁场时域有限差分法,研究了n型硅片对0.3～0.4 THz高功率脉冲的响应.模拟计算了波导内电场分布、电压驻波比及硅块内平均电场,给出了硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的影响规律.通过调整硅块的长、宽、高及电阻率,最后给出了一种可用于该频段高功率太赫兹脉冲功率测量的探测器物理模型,其灵敏度约为0.509 kW-1,幅度波动不超过±14％,电压驻波比不大于1.34.

关 键 词：高功率 太赫兹 半导体探测器 灵敏度 

分 类 号：O441.6[理学—电磁学] O473[理学—物理]