制备材料芯片的K分分形掩膜策略  

作　　者：冯兰[1] 顾明[2] 蔡英文[2] 

机构地区：[1]《高技术通讯》联系人 [2]上海交通大学材料科学与工程学院，上海200030

出　　处：《高技术通讯》2004年第6期39-42,共4页Chinese High Technology Letters

摘　　要：研究了制备由K个水平(元素含量)的任意n种元素所组合的材料芯片的掩膜策略，即K分分形的掩膜策略，它不仅弥补了以往掩膜策略的缺陷，而且具有普遍适用性和更高的灵活性。

关 键 词：材料芯片 分形 掩膜 组合合成 材料合成技术 

分 类 号：TB30[一般工业技术—材料科学与工程]