1.5位/级结构在流水线型ADC中的设计与应用  

作　　者：王磊[1] 于云华[1] 石寅[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《中国集成电路》2004年第6期48-50,共3页China lntegrated Circuit

摘　　要：本文首先阐述了沟道电荷注入效应的产生机理,然后分析可以有效消除沟道电荷注入效应的开关-电容结构的底板采样技术,最后给出流水线型ADC中采用开关-电容结构的1.5位/级电路设计及仿真结果。

关 键 词：沟道电荷注入效应 底板采样 流水线 ADC 1.5位/级结构 

分 类 号：TN792[电子电信—电路与系统]