Bi^(80+)辐射复合过程的多极计算  

作　　者：曾思良[1] 逄锦桥[1] 李萍[1] 李月明[1] 颜君[1] 王建国[1] 

机构地区：[1]北京应用物理与计算数学研究所,北京100088

出　　处：《原子与分子物理学报》2004年第B04期121-123,共3页Journal of Atomic and Molecular Physics

摘　　要：基于Dirac Slater自洽场方法 ,文中计算了Bi79+ 离子从低能到高能的光电离截面 ;研究了半经典类氢近似Kramer公式的适用性 ;考察了多极效应、相对论效应在不同能区对光电离截面的影响 ;计算了Bi80 + 离子在电离阈值附近的辐射复合截面和辐射复合速率系数 。

关 键 词：多极计算 辐射复合 光电离 

分 类 号：O562.5[理学—原子与分子物理]