Si^(2+)离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算  

作　　者：刘春雷[1] 何斌[1] 宁烨[1] 颜君[1] 王建国[1] 

机构地区：[1]北京应用物理与计算数学研究所,北京100088

出　　处：《原子与分子物理学报》2004年第B04期195-196,200,共3页Journal of Atomic and Molecular Physics

摘　　要：应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si2 + 离子与氢原子碰撞电离反应过程 ,计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的一阶、二阶微分截面 ,及出射电子随入射离子能量变化的平均能量。计算结果展示了软碰撞、电子转移到入射离子连续态、两体相遇碰撞等电离机制。通过计算出射电子到入射离子和靶的距离比的电离电子数分布 ,研究了不同入射离子能量“鞍点”电离机制的可能性。

关 键 词：重粒子碰撞过程 经典径迹蒙特卡罗方法 电离机制 

分 类 号：O562.5[理学—原子与分子物理]