检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]国防科学技术大学理学院,湖南长沙410073
出 处:《原子与分子物理学报》2004年第B04期301-303,共3页Journal of Atomic and Molecular Physics
基 金:国家自然科学基金 ( 199740 75 ) ;国家杰出青年基金 ( 10 0 2 5 416)
摘 要:在密度泛函理论 (DFT)广义梯度近似 (GGA)下 ,用全势线性缀加平面波 (FP -LAPW )方法计算了Ⅲ~Ⅳ族层状化合物GaSe晶体ε相的能带结构。计算得到的能隙宽度 (1.0 15eV)以及布里渊区高对称点处的能量值 ,与最近的理论计算结果和实验数据符合得较好。
关 键 词:线性缀加平面波(LAPW) CaSe晶体 能带 电子结构
分 类 号:O562.1[理学—原子与分子物理]
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