An Integratable Distributed Bragg Reflector Laser by Low-Energy Ion Implantation Induced Quantum Well Intermixing  

使用低能离子注入导致的量子阱混杂方法制作可集成的分布式Bragg反射激光器(英文)

作　　者：张靖[1] 陆羽[1] 赵玲娟[1] 周帆[1] 王宝军[1] 王鲁峰[1] 王圩[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第8期894-897,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 12 15 0 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 -1)资助项目~~

摘　　要：An integratable distributed Bragg reflector laser is fabricated by low energy ion implantation induced quantum well intermixing.A 4 6nm quasi continuous wavelength tuning range is achieved by controlling phase current and grating current simultaneously,and side mode suppression ratio maintains over 30dB throughout the tuning range except a few mode jump points.采用量子阱混杂的方法制作了可集成的分布式 Bragg反射激光器 .通过同时控制相位区和光栅区的注入电流 ,该激光器的波长可以准连续地调谐 4 .6 nm .在整个调谐范围内 ,除了少数几个模式跳变点以外 ,激光器的单模特性保持良好 ,边模抑制比均达到了 30 d

关 键 词：photonic integrated circuit distributed Bragg reflector laser quantum well intermixing wavelength tuning 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]