VCSOA典型参数特性的电路级分析  

Circuit-Level Analysis on the VCSOA Typical Parameter Properties

作　　者：李诺晗[1,2] 潘炜[1,2] 罗斌[1] 

机构地区：[1]西南交通大学计算机与通信工程学院,成都610031 [2]电子科技大学宽带光纤传输与通信系统技术国家重点实验室

出　　处：《固体电子学研究与进展》2004年第2期233-237,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金 ( NO.10 1740 5 7);宽带光纤传输与通信系统技术国家重点实验室开放课题资助 ( NO.2 0 0 2 KF);四川省应用基础研究项目 ( NO.0 3 JY0 2 9-0 48-1)

摘　　要：从新型垂直腔半导体光放大器 ( VCSOA)典型的对称结构出发 ,以半导体光放大器速率方程为基础 ,利用电路级模拟软件 PSPICE,建立了 VCSOA的等效电路模型 ,进而模拟分析 VCSOA特性 ,得出了减小孔径或增大自发辐射因子都可以降低阈值电流、提高弛豫振荡频率、拓宽调制带宽和改善噪声特性的结果。From the symmetrical structure the new vertical-cavity semiconductor optical amplify (VCSOA), the VCSOA equivalent circuit model based on the SOA rate equations is established by PSPICE software. Through this model, VCSOA properties are analyzed. The results show that either decreasing aperture or increasing spontaneous emission factor can reduce threshold current, raise relaxation oscillations frequency, spread modulation bandwidth and improve noise performance.

关 键 词：垂直腔半导体光放大器 等效电路模型 自发辐射因子 孔径 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]