C取向GdBa_2Cu_3O_(7-x)膜中a、b取向小颗粒钉扎的TEM研究  

作　　者：周维列 周玉清[1] 王长安[1] 冯国光[1] 王瑞兰[1] 李宏成[1] 李林[1] 

机构地区：[1]中科院物理研究所

出　　处：《电子显微学报》1993年第2期142-142,共1页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

摘　　要：C取向YBa2Cu3O7-x超导薄膜中已获得了高临界电流密度Jc=106A/cm2。随着薄膜的应用,磁通钉扎的机理越来越为人们所重视。外加磁场在平行于YBa2Cu3O7-x的a—b平面时,a—b面会产生本征钉扎,形成高密度的临界电流密度,但垂直于基片方向的高密度电流在应用中也是需要的。

关 键 词：超导体 GBCO 薄膜 C取向 钉扎 TEM 

分 类 号：TM262[一般工业技术—材料科学与工程]