开关电容高Q陷波电路的实现  

Realization of High-Q SC Notch Networks

作　　者：杨志民[1] 袁助国[1] 

机构地区：[1]西北师范大学,兰州730070

出　　处：《电子学报》1993年第8期101-103,81,共4页Acta Electronica Sinica

基　　金：甘肃省自然科学基金资助课题

摘　　要：本文从理论和设计两方面说明开关电容高Q陷波电路也可以通过Q倍增结构实现。采用这种结构还可以减小电路的电容比和总的电容值,从而减小制造芯片时的面积.Second-order high-Q active RC notch networks can be realized by using the Q-multiplier structure[1]. It is shown from the theory and design that the structure can also be used in SC notch networks to decrease the capacitor ratio and capacitor area of the circuit.

关 键 词：滤波器 开关电容 陷波 高Q 

分 类 号：TN713.92[电子电信—电路与系统]