Temperature-Dependent Barrier Characteristics of Inhomogeneous In／p-Si （100） Schottky Barrier Diodes  

作　　者：N.Tugluoglu S.Karadeniz S.Acar M.Kasap 

机构地区：[1]DepartmentofMaterialsResearch,AnkaraNuclearResearchandTrainingCentre,06100,Besevler,Ankara,Turkey [2]DepartmentofPhysics,FacultyofArtsandSciences,GaziUniversity,06500,Ankara,Turkey

出　　处：《Chinese Physics Letters》2004年第9期1795-1798,共4页中国物理快报（英文版）

分 类 号：TN311.8[电子电信—物理电子学]