二次电子发射系数对新型SM-PDP放电过程的影响  

The Effect of the Second Electron Emission Coefficient on the Discharg Characteristics in the SMPDP Cells

作　　者：徐静声[1] 屠彦[1] 

机构地区：[1]东南大学电子工程系金东飞显示中心,南京210096

出　　处：《电子器件》2004年第2期220-223,353,共5页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家自然科学基金课题 (6 0 2 710 16 ) .

摘　　要：针对新型荫罩式PDP(SM -PDP)结构 ,采用二维数值模拟的方法研究了二次电子发射系数对放电过程的影响 ;以及在放电单元不同的表面上 ,二次电子发射系数对放电过程影响。通过计算比较得知二次电子发射系数越大 ,响应频率越快 ,粒子电离率越高 ;在SMPDP中 ,二次电子发射主要是由粒子轰击放电单元内上下介质表面决定的。A 2D simulation model is used to study the effect of the second electron emission coefficient on the discharge in the SMPDP cells. It is found that the response frequency and the ionization rate will be improved if the coefficient is increasing. And the effects of second electron emission are more sensitive on the surface of MgO than on the surface of metal barriers in the new SMPDP cells.

关 键 词：潘宁电离 二次电子发射 新型荫罩式PDP 

分 类 号：TN141.5[电子电信—物理电子学]