电诱发听觉脑干反应与听觉脑干植入  

作　　者：王亮[1] 董明敏[1] 张道行[2] 

机构地区：[1]郑州大学第一附属医院耳鼻咽喉头颈外科,450052 [2]首都医科大学附属北京友谊医院耳鼻咽喉科

出　　处：《国外医学（耳鼻咽喉科学分册）》2004年第4期226-229,共4页Foreign Medical Sciences(Section of Otolray Ngology Foreign Medical)

摘　　要：听觉脑干植入能够使听神经受损耳聋患者重新获得听觉。电诱发听觉脑干反应(electricallybrainstemresponse ,EABR)测试用于术中定位耳蜗核位置 ,具有重要作用。电刺激耳蜗核时出现的EABR波形有两种类型 :3波反应型和 2波反应型 ,同时可记录到潜伏期较长的肌反应。手术中最佳的EABR测试参数为双相方波脉冲电流、刺激强度 3mA、刺激频率 5 0Hz、植入电极板上间距最大的电极做配对刺激、带通滤波 10～ 30 0 0Hz。EABR作为探讨电听觉整体效果的指标 ,将在听觉脑干植入研究中发挥重要作用。

关 键 词：电诱发听觉脑干反应 听觉脑干植入 术中监测 测试参数 

分 类 号：R764[医药卫生—耳鼻咽喉科]