高亮度发光二极管多层结构外延片电化学C-V测试分析  

Tests and analyses of multilayer structure HB-LED epitaxial slice by electrochemical C-V measurement

作　　者：孙慧卿[1] 范广涵[1] 刘颂豪[1] 

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料技术研究所,广东广州510631

出　　处：《量子电子学报》2004年第4期542-544,共3页Chinese Journal of Quantum Electronics

基　　金：广东省重点科技攻关项目(国家部分)"超高亮度发光二极管和面发光半导体激光器的研制"资助(2000-D068)

摘　　要：本文介绍了利用ECV的方法测试分析双异质结多层结构外延片方法,在测试厚度、掺杂浓度、导 电类型等材料的结构参数过程中,解决了外延片参数不稳定时的测试方法。Electric parameters of double heterojunction multilayer structure epitaxy slice (depth, dope concentration, electric type etc.) were tested and analysed by ECV. Epitaxial slice parameters were measured.

关 键 词：光电子学 ECV 肖特基结 微分电容 电解液 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]