GaAs基量子级联激光器材料结构设计的进展  

Progress on the material structure design ofGaAs-based quantum cascade lasers

作　　者：刘俊岐[1] 刘峰奇[1] 车晓玲[1] 黄秀颀[1] 雷文[1] 王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083

出　　处：《微纳电子技术》2004年第8期6-13,共8页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家重点基础研究发展规划(973)项目(G20000683-02);国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2001AA311140);国家自然科学基金重点项目(60136010);国家自然科学基金重大研究计划(光电信息功能材料)项目资助(90101002)

摘　　要：GaAs基量子级联激光器的出现,在器件的设计制作和处理工艺上开辟了有意义的前景。本文概述了近年来GaAs基量子级联激光器在波导核心层、波导以及光学谐振腔方面设计的原理、进展,并介绍了一些新颖的结构。The invention of GaAs-based quantum cascade lasers blazed a way in the design innovations at the material and device levels. The principles and developments on GaAs-based quantum cascade lasers are discussed,including waveguide core,waveguide and optical resonators. Some novel structures are introduced.

关 键 词：量子级联激光器 注入区 有源区 波导 谐振腔 

分 类 号：TN243[电子电信—物理电子学]