CMOS集成电路的ESD模型和测试方法探讨  

Study of ESD Model and Test Method in CMOS IC

作　　者：徐骏华[1] 向宏莉[1] 令文生[1] 

机构地区：[1]西安微电子技术研究所,陕西西安710054

出　　处：《现代电子技术》2004年第9期70-73,共4页Modern Electronics Technique

摘　　要：随着超大规模集成电路工艺的高速发展 ,特征尺寸越来越小 ,而静电放电 ( Electrostatic Discharge)对器件可靠性的危害变得越来越显著。因此 ,静电放电测试已经成为对器件可靠性评估的一个重要项目。介绍了 ESD的 4种等效模型 :人体、机器、器件充电和场感应模型 ,以及各模型的特点和等效测试电路。同时较详细的介绍了 ESD的测试方式和方法。The character dimension is smaller and smaller by the development of VLSI process. So the damage of electrostatic discharge is more markedly in the MOS device′s reliability. Therefore, the test of electrostatic discharge has already been an important item in the evaluation of the MOS device′s reliability.This paper will particularly show the test method and four models of ESD: Human-Body model, Machine model, Charged-Device model, Field-Induced model

关 键 词：静电放电 ESD模型 电流 CMOS 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学]