MOS电荷泵上升时间模型的建立  

The Rise Time Model of MOS Charge Pump

作　　者：张胜媛[1] 王颀[1] 李晴[1] 刘丽蓓[1] 邵丙铣[1] 

机构地区：[1]复旦大学国家微分析中心,上海200433

出　　处：《固体电子学研究与进展》2004年第3期350-354,389,共6页Research & Progress of SSE

摘　　要：在 Dickson模型的基础上 ,通过对电荷泵模型的动态分析 ,推导了 MOS电荷泵的上升时间模型。并根据 MOS电荷泵实际工作情况 ,加入了衬偏效应及寄生电容等参数 ,使模型更符合实际情况。经 SPICE模拟验证 ,新模型更加符合实际 MOS电荷泵工作情况。Dynamics of the Dickson charge pump circuit have been analyzed.In this paper,the voltage rise time of MOS charge pump is modeled.Based on the physical working condition of charge pump circuit,two parameters are taken into account.The simulation results of new model agree with practical MOS charge pump.

关 键 词：电荷泵电路 上升时间 衬偏(体)效应 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]