LT-GaAs飞秒光电导之电场响应特性  

Response characteristic of femtosecond LT-GaAs photoconductive switches at different voltage bias

作　　者：邓莉[1] 刘叶新[1] 寿倩[1] 吴添洪[1] 赖天树[1] 文锦辉[1] 林位株[1] 

机构地区：[1]中山大学光电子材料与技术国家重点实验室物理系,广州510275

出　　处：《物理学报》2004年第9期3010-3013,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 1780 2 0 ;698880 0 5 );广东省自然科学基金 (批准号 :0 112 0 1;2 0 0 2B1160 1)资助的课题~~

摘　　要：利用飞秒光电导自相关技术研究了LT GaAs飞秒光电导开关时间随外加偏置电场的变化规律 .实验结果显示当外加偏置电场从 0 5× 1 0 4 V cm上升到 9 5× 1 0 4 V cm时 ,光电导开关时间开始在 2 0 0fs附近缓慢变化再迅速增加到 75 0fs.这是由于随着外加电场增加 ,Frenkel Poole效应导致的EL2缺陷中心库仑吸引势垒降低和电场增强的碰撞电离效应显著增强 ,导致载流子俘获截面减小 。The response characteristic of a LT GaAs photoconductive switch formed in a coplanar waveguide at different voltage bias is studied with photocurrent autocorrelation measurement technique. The experimental results show that the switching time increases from ～200fs to ～750fs, when the bias voltage ascends from 0 5×10 4 to 9 5×10 4 V/cm. This phenomenon is attributed to the increase of carrier capture time arising from the potential barrier lowering (Frenkel Poole effect) and the field enhanced thermal ionization.

关 键 词：光电导自相关技术 载流子俘获时间 Frenkel-Poole效应 电子碰撞电离效应 光电导开关 

分 类 号：TN491[电子电信—微电子学与固体电子学]