聚3-甲基噻吩的光电化学研究  

A Photoelectrochemical Study of the Poly(3-Methythiophene)

作　　者：武文俊[1] 郝彦忠[1] 

机构地区：[1]河北科技大学化学与制药工程学院,河北石家庄050018

出　　处：《感光科学与光化学》2004年第5期378-382,共5页Photographic Science and Photochemistry

基　　金：国家自然科学基金资助项目(20203008);河北省自然科学基金资助项目(202351);河北省教育厅博士基金资助项目(110611).

摘　　要：利用光电化学方法研究了聚3 甲基噻吩的光电化学性质.其禁带宽度为1.93eV.同时确定了它的价带、导带位置.研究还发现聚3 甲基噻吩属于直接跃迁半导体,具有很好的光电流稳定性.得到的最高IPCE值近1.0%.The photoelectrochemical properties of the poly(3-methythiophene) film on the ITO were investigated with photoelectrochemical methods.The band gap of the poly(3-methythiophene) is 193 eV.The conduction band and valence band were determined to be -3.44 eV and -5.37 eV respectively.The maximal IPCE is 1.0%.

关 键 词：聚3—甲基噻吩 光电化学 导电聚合物 

分 类 号：O626[理学—有机化学]