A Novel NeuMOS Source Follower Cell with High Precision  

一种新型的高精度神经元MOS源极跟随单元电路(英文)

作　　者：杨媛[1] 高勇[1] 余宁梅[1] 刘梦新[1] 

机构地区：[1]西安理工大学电子工程系,西安710048

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第9期1074-1078,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 760 17)~~

摘　　要：A novel neuMOS source follower circuit is presented.The cell can complete the s ource follower function even if the input voltage is lower than the threshold of the source follower,thus high-precision operation of the circuit is achieved. The simulation and the measurement results show that its precision is higher tha n that of other neuMOS source follower circuits.提出了一种新型的神经元 MOS源极跟随电路结构 ,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能 ,因而具有较高的精度 .仿真和实验结果表明它比传统的神经元

关 键 词：neuron MOS source follower THRESHOLD 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]